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| 厂商戮力开发新应用芯片立体堆叠技术未来可期 |
| 2013-03-01 |
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TSV (矽穿孔)立体堆叠技术已在各式应用领域当中崭露头角。TSV堆叠技术应用于DRAM、FPGA、无线设备等应用上，可提升其效能并维持低功耗，因而获得半导体厂及类比元件厂的青睐，尽管如此，若要加速TSV技术于市场上应用的速度，仍须仰赖代工厂、IP供应商、EDA厂与封测代工厂的共同合作。
TSV市场预测与评估
许多消费性应用须要使用TSV、中介层或可切入扇出型晶圆级封装(FOWLP)做进阶封装，以便产生薄于50微米(μm)的超薄半导体晶圆，如供电元件绝缘闸双极电晶体(IGBT)、RF与发光二极体(LED)。由于超薄晶圆较不稳定、比传统的更易碎、探针测试时易破，且在研磨与晶圆加工时易产生挠曲，因此需要新的暂时键合技术。
研究机构Yole找出至少六个使用载具暂时键合的技术，Yole预估暂时键合的市场将会在2011-2016年间，有五倍的市场成长，让市值上探3亿美元，需要暂时键合的晶圆，将会在2016年达到3千5百万片。
当然，在半导体市场上仍有其他的可能应用存在，例如NAND快闪记忆体的应用，其可能的堆叠将包含记忆体储存卡、通用序列汇流排(USB)硬碟、固态硬碟(SSD)、microSD卡、MP3播放器、数位相机以及可携式的游戏机，对于这部分的应用，在2009年便开始引起很大的回响与讨论，然而目前多数的厂商仍认为TSV的相关成本未能妥善评估，并且目前还有其他替代技术，例如使用薄化晶片与打线接合堆叠的方式，也能够取得相同的密度水准，因此到2014年之后才有量产TSV技术的可能性。
TSV前景看好 惟时间表未定
目前许多厂商在应用TSV上并没有设定很明确的蓝图，且因为制程与设计间有落差，所以方法并不明确，因此应用TSV的3D IC虽然是一个新模式，但对于设计者而言，必须改变传统二维(2D)设计的想法与结构。
另外，组装也是另一个问题。此外，由于相关成本较难估算，而且价值链架构并不是很稳定，仍需要时间来加以厘清，才可助加速TSV于市场上的应用。
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| 资料来源：新电子 |
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