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| 半导体厂先进制程进度 |
| 2013-04-15 |
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半导体厂先进制程布局在28奈米阶段被炒热，主要是受惠通讯晶片对于省电、高效能的要求，使得28奈米需求旺盛。2012年仅台积电有产能，但仍无法满足大客户需求，到2013年初，台积电28奈米制程的产能已扩增倍数，目前单月产能约7万片12寸晶圆。
台积电28奈米产能开出之际，同业也积极拉升28奈米良率，以卡位第二供应商策略进入战场，日前GlobalFoundries的良率大幅提升，已抢下高通(Qualcomm)、联发科等订单。
在28奈米制程以下是20奈米制程，但部分客户转进意愿不高，因为20奈米制程技术仍是停留在平面式电晶体的设计，成本下降速度不及增加的投资金额，因此宁愿暂时以28奈米为主，之后再转进3D架构电晶体FinFET技术。
FinFET技术最早是英特尔(Intel)在22奈米制程导入，未来14奈米也会延续，台积电计划在16奈米制程导入FinFET技术、GlobalFoundries在14奈米制程导入、三星电子则预计从14奈米导入FinFET技术，联电的FinFET技术从计划从20奈米切入，会与IBM合作加速其进度。
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| 资料来源：DIGITIMES |
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