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| IBM和高通谈对三维LSI技术的期待 |
| 2013-05-26 |
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基于TSV（硅通孔）层叠芯片的三维LSI技术越来越受期待。在2013年4月大阪举行的半导体封装技术的国际会议（ICEP）上，其中两场主题演讲的主题都是三维LSI（图1）。
之所以需要三维LSI技术，是因为半导体的微细化（定标，scaling）已经接近极限。IBM研究员Subramanian S.Iyer在ICEP上的主题演讲表示：“估计现在的晶体管技术至少能够微细化到7nm工艺，但随着蚀刻成本增加，每个晶体管的成本肯定会增加”。
因此，半导体行业应该致力于与原来二维方向（X-Y方向）定标不同的的Z轴向“垂直定标”（Orthogonal Scaling）。重要技术包括层叠微处理器和内存的三维LSI技术，采用深沟道的混载DRAM技术以及采用深沟道的片上去耦电容技术。IBM计划利用上述技术，大幅减小高性能服务器的主板的尺寸（图2）。IBM计划利用三维LSI技术及混载DRAM技术等不同于以往微细化的“垂直定标”实现主板小型化。
高通则计划将该技术应用于智能手机。将引进利用TSV在移动SoC上层叠Wide I/O DRAM的“TSS（through-silicon stacking）”技术。高通正在加快开发在手机SoC上层叠Wide I/O内存的三维LSI技术。
据Gartner预测，全球智能手机出货量到2016年将达到50亿部。如果基于TSV的三维LSI技术被智能手机采用，那么TSV技术将迅速普及。高通的工程师兼高级主管Urmi Ray发表的主题演讲指出，“目前采用TSV的Wide I/O DRAM和硅转接板的价格很高，该技术要想全面普及，必须进一步降低成本”。 ICEP与会者很多人认为TSV技术应用于移动SoC量产“最早要到2015年”。
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| 资料来源：日经BP半导体调查 |
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